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CO2 可用于支持先进的浸没光刻，专用低温洗濯应用以及DI(去离子水)处置惩罚。

He是第二轻的元素和最冷的液体，用于电子制造中的冷却，等离子处置惩罚和走漏磨练。

由于更大的工厂和更高的工艺强度需求，H?的使用量正在增添。它用于硅和硅锗的外延沉积和外貌处置惩罚。随着EUV（极紫外线）的转变，氢气的需求量将继续增添。

O?用于在蚀刻中爆发氧化物层。现场可提供杂质少于10ppb的超纯液态氧（LOX）且无需外部净化器。

N?是现在半导体制造中使用最多的气体。它用于吹扫真空泵，排放系统，还可以用来做为一种工艺气体。在大型的，先进的工厂，氮气的消耗量可达每小时5万立方米，这使得工厂需要本钱效益好，低能耗的现场氮气爆发器。